Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11110
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПанченко, Сергій Володимирович-
dc.contributor.authorВовк, Руслан Володимирович-
dc.contributor.authorКамчатна, Світлана Миколаївна-
dc.contributor.authorХаджай, Георгій Ярославович-
dc.date.accessioned2022-09-29T12:14:59Z-
dc.date.available2022-09-29T12:14:59Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationПат. № 147678 Україна Спосіб вирощування кристалів YBa2Cu3O7-δ з різним ступенем відхилення від кисневої стехіометрії / винахідники : С. В. Панченко, Р. В. Вовк, С. М. Камчатна, Г. Я. Хаджай ; володілець : Український державний університет залізничного транспорту ; представник : Г. Л. Ватуля ; заявл. 20.01.2021 ; опубл. 02.06.2021, Бюл. № 22.uk_UA
dc.identifier.urihttp://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11110-
dc.description.abstractСпосіб вирощування кристалів YBa2Cu3O7-δ з різним ступенем відхилення від кисневої стехіометрії, що включає отримання суміші початкових компонентів (Y2O3, BaCO3 і CuO, всі марки ОСЧ взяті в атомному співвідношенні Y:Ba:Cu=2:25:73), декарбонізацію шляхом відпалу при 850 °C, причому для процесу гомогенізації і наступного вирощування шляхом зниження температури поміщають в золотий тигель і нагрівають в печі до температури 965 °C, при цьому розплав витримують при цій температурі протягом двох годин, а потім знижують температуру із швидкістю 2 °C/год. до температури 870 °C, при цьому градієнт температур уздовж тигля складає біля 3 °C/см, а піч вимикають і розплав з вирощеними кристалами охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що проводять додатковий відпал кристалів в атмосфері кисню або на повітрі при температурах 420-650 °C протягом від двох до трьох діб.uk_UA
dc.publisherДержавне підприємство “Український інститут інтелектуальної власності”uk_UA
dc.subjectкристалuk_UA
dc.subjectкиснева стехіометріяuk_UA
dc.subjectсуміш початкових компонентівuk_UA
dc.subjectдекарбонізаціяuk_UA
dc.subjectвисокотемпературні надпровідникиuk_UA
dc.titleСпосіб вирощування кристалів YBa2Cu3O7-δ з різним ступенем відхилення від кисневої стехіометріїuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:2021

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
patent147678.pdf240.64 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.