Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11270
Title: Перспективи розвитку силової електроніки шляхом застосування нових технологій на базі карбіду кремнію
Other Titles: Prospects for the development of power electronics by application of new technologies based on silicon carbide
Authors: Плахтій, Олександр Андрійович
Нерубацький, Володимир Павлович
Хоружевський, Григорій Анатолійович
Plakhtii, O. A.
Nerubatskyi, V. P.
Khoruzhevskyi, H. A.
Issue Date: 2020
Publisher: Український державний університет залізничного транспорту
Citation: Плахтій О. А. Перспективи розвитку силової електроніки шляхом застосування нових технологій на базі карбіду кремнію / О. А. Плахтій, В. П. Нерубацький, Г. А. Хоружевський // Енергоефективність на транспорті : тези доповідей міжнародної науково-технічної конференції (18-20 листопада 2020 р.). - Харків : УкрДУЗТ, 2020. - С. 44-46.
Abstract: Кремній є основним напівпровідниковим матеріалом для виробництва сучасної електроніки. Проте, за останні роки з’явилася нова, більш перспективна технологія, що дозволяє підвищити енергоефективність перетворювальної техніки. Зокрема, в сегменті силової електроніки, найбільш перспективними матеріалами є карбід кремнію (SiC) та нітрид галію (GaN).
URI: http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11270
Appears in Collections:Енергоефективність на транспорті

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Plakhtii.pdf415.89 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.